STS10P3LLH6

功能描述:MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC

制造商:stmicroelectronics

系列:STripFET? H6

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最小)

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):33nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3350pF @ 25V

功率 - 最大值:2.7W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

标准包装:1

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